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2019-11-06

半导体分立器件焊后助焊剂锡膏清洗剂韦德国际1946官方网站分享:航天用微电子器件及半导体分立器件的失效模式及机理,提出的工艺、结构与材料应满足的技术要求

发布者:韦德国际1946官方网站Unibright ; 浏览次数:582

半导体分立器件焊后助焊剂锡膏清洗剂韦德国际1946官方网站分享:航天用微电子器件及半导体分立器件的失效模式及机理,提出的工艺、结构与材料应满足的技术要求


航天用微电子器件及半导体分立器件的工艺、结构与材料应满足以下要求(随着技术发展及工艺公关,要求也是随之变化,所以内容仅供参考)。

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1、通用要求

  1. 禁止使用纯银、纯锡等金属材料,使用锡铅合金时,铅含量应大于3%;

  2. 除另有规定外,禁止使用锡铅焊密封工艺;

  3. 除另有规定外,密封元器件内部禁止使用有机/聚合物材料用于粘接、导热、保形加固等用途;

  4. 禁止元器件内部使用干燥剂材料;

  5. 慎用超声清洗工艺,所选功率、时间等工艺参数应经充分论证和试验验证。

  6. 禁止使用无钝化层的有源芯片;

  7. 生产过程关键工序执行SPC,具体要求在详细规范中规定;

  8. 禁止密封元器件使用真空封装(电真空器件除外)。

2、内部气氛含量控制要求

进行内部气氛含量测试的样品应为寿命试验后密封合格的样品,内部气氛含量控制水平在100℃时要求按以下规定执行:

  1. 单片裸芯片密封器件(不含单列要求的密封器件):水汽含量≤3000ppm;氧气含量≤1000ppm;氢气含量≤1000ppm;二氧化碳含量≤1000ppm;有机气体:具体控制指标在详细规范中规定。

  2. 特殊裸芯片密封器件:包括GaAs器件、MOS器件、肖特基器件等,具体要求待定。

  3. 混合微电路(含混合集成结构的固体继电器和晶体振荡器):水汽含量≤3000ppm;氧气含量≤1000ppm;氢气含量≤1000ppm;二氧化碳含量≤1000ppm;有机气体:具体控制指标在详细规范中规定。

  4. 微电路模块(含分立或复合结构的固定继电器和晶体振荡器):水汽含量≤5000ppm。

3、半导体集成电路要求

  1. 芯片粘接,推荐使用共晶焊。对于面积大于8mmX8mm的芯片,如果采用共晶焊工艺时存在难度时,可以使用导电胶等有机/聚合材料粘接芯片工艺,但承制方应进行必要性及可行性论证,并报用户认可,粘接材料应通过相应的性能考核,同时要加严考核内部气氛(如有机气体含量等),材料性能考核及气氛控制指标要求在详细规范中规定;

  2. 禁止使用倒装芯片封装工艺;

  3. 禁止使用梁式引线结构;

  4. 禁止在芯片上采用不同金属材料键合工艺;如果必须在芯片端用到金-铝键合,必须通过专门的工艺鉴定,工艺鉴定试验应至少包括高温储存、SEM检查和引线键合强度。高温储存试验样品应为密封合格样品,试验条件为300℃、24h;SEM检测主要观察开帽后键合点情况,要求金-铝扩散区域不得波及有源区(通过元素面分布情况确定);高温储存后引线键合强度应满足标准要求;

  5. 慎用玻璃烧结芯片工艺;

4、混合集成电路要求

  1. 内部芯片粘接,推荐使用共晶焊。对于面积大于8mmX8mm的芯片,如果采用共晶焊工艺时存在难度时,可以使用导电胶等有机/聚合材料粘接芯片工艺,但承制方应进行必要性及可行性论证,并报用户认可,粘接材料应通过相应的性能考核,同时要加严考核内部气氛(如有机气体含量等),材料性能考核及气氛控制指标要求在详细规范中规定;

  2. 禁止使用倒装芯片封装工艺;

  3. 禁止使用不可评价的表面安装器件;

  4. 禁止在芯片上采用不同金属材料键合,如果必须用到金-铝键合,应通过工艺鉴定,工艺鉴定要求参见单片集成电路的要求;

  5. 慎用玻璃烧结芯片工艺;

  6. 不禁用BeO基板;如使用BeO基板,应按规定在器件正面标记警告标志。

5、半导体分立器件要求

  1. 禁止在芯片上采用不同金属材料键合,如果必须用到金-铝键合,应通过工艺鉴定,工艺鉴定要求见单片集成电路的要求;

  2. 禁用压接芯片连接方式;

  3. 禁用玻璃或树脂银浆芯片烧结工艺;

  4. 芯片粘接,推荐使用共晶焊。




以上一文,仅供参考!


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